WD4000無(wú)圖晶圓檢測機可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)?？蓽y各類(lèi)包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、曲率等，提供依據SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計300余種2D、3D參數作為評價(jià)標準。

測量功能

1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；

2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過(guò)濾頻譜等功能；提取包括提取區域和提取剖面等功能。

4、WD4000無(wú)圖晶圓檢測機提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線(xiàn)度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線(xiàn)粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數；結構分析包括孔洞體積和波谷。

應用場(chǎng)景

1、無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過(guò)非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2、無(wú)圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數據計算重復性為0.046987nm，測量穩定性良好。

懇請注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內容可能會(huì )根據實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。

部分技術(shù)規格

品牌：CHOTEST中圖儀器

型號：WD4000系列

厚度和翹曲度測量系統

可測材料：砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

測量范圍：150μm~2000μm

掃描方式：Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)

測量參數：厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線(xiàn)粗糙度

三維顯微形貌測量系統

測量原理：白光干涉

干涉物鏡：10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))

可測樣品反射率：0.05%~100%

粗糙度RMS重復性：0.005nm

測量參數：顯微形貌 、線(xiàn)/面粗糙度、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數

膜厚測量系統

測量范圍：90um(n= 1.5)

景深：1200um

最小可測厚度：0.4um

紅外干涉測量系統

光源：SLED

測量范圍：37-1850um

晶圓尺寸：4"、6"、8"、12"

晶圓載臺：防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺

X/Y/Z工作臺行程：400mm/400mm/75mm

如有疑問(wèn)或需要更多詳細信息，請隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢(xún)。