晶圓是半導體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續推進(jìn)的物質(zhì)基礎。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow） 是直接影響工藝穩定性和芯片良率的關(guān)鍵參數：

1、厚度（THK） 是工藝兼容性的基礎，需通過(guò)精密切割與研磨實(shí)現全局均勻性。

2、翹曲度（Warp） 反映晶圓整體應力分布，直接影響光刻和工藝穩定性，需通過(guò)退火優(yōu)化和應力平衡技術(shù)控制。

3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對稱(chēng)性缺陷，對多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長(cháng)和鍍膜工藝中嚴格調控。

在先進(jìn)制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數。通過(guò)WD4000晶圓幾何形貌測量系統在線(xiàn)檢測，可減少其對芯片性能的影響。

WD4000晶圓幾何量測系統適用于裸晶圓、圖案晶圓、鍵合晶圓、貼膜晶圓、超薄晶圓等復雜結構晶圓的量測應用。

（1）搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統，可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式，實(shí)現全自動(dòng)上下料，實(shí)現在單系統內完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數的高精度測量。

（2）系統覆蓋襯底切磨拋，光刻/蝕刻后翹曲度檢測，背面減薄厚度監測等關(guān)鍵工藝環(huán)節。

晶圓作為半導體工業(yè)的“地基"，其高純度、單晶結構和大尺寸等特點(diǎn)，支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰略?xún)r(jià)值不僅體現在技術(shù)壁壘和產(chǎn)業(yè)核心地位，更在于推動(dòng)全球電子設備小型化、智能化及新興領(lǐng)域（如AI、自動(dòng)駕駛）的發(fā)展。晶圓技術(shù)的持續創(chuàng )新，是半導體行業(yè)進(jìn)步的核心驅動(dòng)力之一。